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SI1034X-T1-E3中文资料

SI1034X-T1-E3图片

SI1034X-T1-E3外观图

  • 大小:65.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: N CHANNEL MOSFET, 20V, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes
  • 数据列表:SI1034X
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:180mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.75nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:250mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SC-89-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI1034X-T1-E3TR

SI1034X-T1-E3供应商

更新时间:2023-02-02 04:16:19
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